horn antenna

■半導體元件分類

     半導體封裝針對各式元件需求,有著不同的封裝型式; 因此 , 在探討封裝前

     先釐清半導體元件主類如下圖1mhz to 70ghz any type antenna

■名詞

SOS = Silicon on Sapphire 藍寶石上覆矽

SOI = Silicon On Insulator 絕緣體上覆矽

MOS-FET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 簡稱 MOS 

金屬－氧化物(絕緣體)－半導體場效電晶體

FD-SOI = Fully Depleted Silicon-on-Insulator 全空乏絕緣上覆矽

FinFET = Fin Field-Effect Transistor  鰭式場效電晶體

TSV = Through-silicon Vias 矽穿孔

CoWoS = Chip on Wafer on Substrate 基板上晶圓上封裝

InFO =  Integrated Fan-Out  整合扇出型封裝

SoIC = System on Integrated Chip 系統整合晶片封裝

WoW = Wafer on Wafer 多晶圓堆疊封裝

PoP = Package on Pakage

WLP = Wafer-Level Package

SiP = System in Package

AiP = Antenna in Package

HBM = High  Bandwidth Memory

MCM = Multi-Chip-Module

MCP = Multi-Chip-Package

■MOS元件的封裝演進 : FD-SOI  VS. FinFET

  【TIPS】MOS為MOS-FET簡稱; MOS元件基本有三: P-MOS , N-MOS ,

    CMOS (由P-MOS與N-MOS組成)

    MOS 元件功用 : 利用閘極ON/OFF電壓控制電子流通數量

                  (類似水龍頭控制水量的功能)

■IC封裝技術

   IC封裝技術可分為CoWoS (2.5D), InFO (2.5D),SoIC (3D)等類型，    

  (1)CoWoS - 2.5D封裝 ,或稱異質性封裝

   ●CoWoS 技術

就是有兩個基板(Substrate)概念。中間那層基板為矽中介層

(Interposer,可以選用有機材料)，用來做為晶片和底層Substrate的

共同基板，上面堆疊Side by Side的不同晶片(包含邏輯晶片、DRAM)，

底層Substrate基本上採用矽基板。

當需要傳輸高速訊號時，就可採用CoWoS方案

    ●適用於高速傳輸設計, 例如賽靈思(Xilinx)FPGA就是採取這種設計。

(2) InFO -2.5D封裝技術                 

     ●InFO  整合型扇出(InFO)特點就是整合扇出封裝技術(Fan-out)製程，

也就是說晶片下方以外的地區，可以增加更多的Pin數量，同時在基板上面

可以堆疊更多不同的晶片，且中間無需有Interposer，也因此成本下降

20~30%，同時散熱效能也會更高。此外，不同於CoWoS製程，InFO因為

線路較為簡單，可以將多餘的空間提供給RF晶片      

●適用於射頻(RF)類型 :  例如蘋果(Apple)的iPhone 7採用InFO製程。

        即便該技術的散熱量和速度不及CoWoS，但本身便宜、散熱佳又支援

RF技術，仍舊非常吸引廠商採納。

  (3)SoIC - 3D 封裝

●運用TSV(Through Silicon Via)和晶圓(Chip-on-wafer)接合製程

    來支援多晶片的堆疊，並提供無突起(Bumpless)接合結構，以實現更佳

   效能。

 ●SoIC 適用於雲端和資料中心的應用。

■IC 封裝尺寸的應用領域

■系統整合封裝類型與發展趨勢

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